详细摘要： 刻胶（resist）概 述光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resis...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言深圳市科时达电子科技有限公司
深圳市科时达电子科技有限公司
详细摘要： 刻胶（resist）概 述光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resis...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言
详细摘要： 特点：• 紫外负胶（厚胶），适用于 LIGA 及 MEMS应用• 涂胶厚度 10μm@1000rpm， 可提供更高厚度（200μm）• SX AR-N 4600...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言
详细摘要： 特点：• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段：Broadbａnd UV、i-line(365nm) g-line(436nm)、 e-bea...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言
详细摘要： 特点：• 用于消除电子束曝光、SEM成像、FIB等工艺中的荷电效应• 通过旋涂的方式涂胶，操作简单• 涂胶厚度：40nm @ 4000rpm• 电子束曝光后可溶...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言
详细摘要： 特点：• 用于高灵敏度电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 29...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言
详细摘要： 点：• 耐酸碱保护胶• 不含光敏物质，无需黄光室• 在40% KOH或50% HF酸中可长时间稳定• 通过双层工艺可实现正性(AR-P 3250) 或负性(AR...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-07 在线留言
详细摘要： PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）是一种通用的聚合材料，适用于许多成像和非成像微电子系统。PMMA光刻胶是将PMMA聚合物溶解在诸如苯甲醚之类的安全溶剂中，曝光会导致...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： ZEP530A是一种非化学放大型正型电子束光刻胶，具有优异的分辨率和耐干蚀刻性以及宽的工艺参数。
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： AZ ®111 XFS光刻胶对所有的表面均有着优异的粘附性能。该光刻胶的起源可追溯到1964年的AZ ®111，它是用于通用接触式印刷用途的商业...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： AZ ® 4500系列（AZ ® 4533和AZ ® 4562）是正性厚光刻胶，在普通湿法蚀刻和电镀工艺中具有优良的粘附性能.
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： AZ®40 XT的应用始于15-30 µm，在这个厚度范围时，由于N2脱气和再水化延迟时间，使用常规正性光刻胶的光刻工艺变得非常耗时，而AZ...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： TFP 650 F5 光刻胶适用于对附着力要求及蚀刻条件要求苛刻的旋涂和挤压涂层条件的应用。
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： MicroChem SU-8光刻胶是一种基于环氧SU-8树脂的环氧型的、近紫外负性光刻胶，该系列光刻胶性能优良，主要用于厚衬底上需要高深宽比时的应用。可对近紫外...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： AZ®nLOF 5110是一种薄的高分辨率负型光刻胶，具有很高的热稳定性。该光刻胶用于单层剥离工艺以及RIE蚀刻或离子注入，并且与基于TMAH的显影剂兼...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： AZ®125 nXT是一种交联的负性光刻胶，膜厚度可达100 µm，甚至更高（可实现1 mm的光刻胶膜厚度），具有标准的参数和非常陡峭的侧壁...
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言
详细摘要： PMGI 0.25µm),以及很厚( 4µm)金属化。这些的性能适用于多种材料，可满足客户的各种需要。
产品型号：所在地：深圳市更新时间：2022-11-02 在线留言您感兴趣的产品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
物流技术网 设计制作，未经允许翻录必究 .
请输入账号
请输入密码
请输验证码